23. dubna 2025 od 16 hodin,
půl hodiny před začátkem bude k dispozici káva a čaj
Břehová 7, Praha 1
místnost B-103
Karbid křemíku (SiC) je typickým zástupcem materiálů s širokým zakázaným pásem, jehož výjimečné vlastnosti—kombinující vysokou tepelnou vodivost, radiační a chemickou odolnost spolu se specifickými elektrickými charakteristikami—z něj činí ideální materiál pro náročné aplikace ve výkonové elektronice. Cílem přednášky je shrnout základní strukturní a fyzikální charakteristiky SiC, porovnat jej s křemíkem a představit technologie používané při výrobě součástek na bázi SiC.
Radim Čtvrtlík je členem R&D týmu ve společnosti onsemi, kde se specializuje na vývoj technologie epitaxiálního růstu vrstev karbidu křemíku (SiC) metodou CVD a jejich charakterizaci. Je absolventem Univerzity Palackého v Olomouci, kde získal diplom z aplikované fyziky a metrologie a následně doktorát z oblasti depozice a charakterizace tenkých vrstev. Svůj multidisciplinární výzkum prováděl ve Fyzikálním ústavu Akademie věd ČR v Praze a na Virginia Polytechnic Institute and State University (VA, USA). Také působil jako odborný asistent na Univerzitě Palackého.
23.04.2025, 16.00, FJFI ČVUT, Břehová 7, Praha 1
