Contacts in Nanoscale and Contacts for Nanomaterials

Škálování kontaktů zůstává jednou z nejkritičtějších výzev v technologii nano komplementárních kov-oxid-polovodičových (CMOS) tranzistorů. S tím, jak se rozměry součástek zmenšují do nanometrového režimu, se stále více stávají významnými problémy, jako je drsnost povrchu, zmenšená velikost kontaktu, omezená tloušťka vrstvy a použití nedotovaných substrátů. Tyto faktory zvyšují kontaktní odpor a zavádějí variabilitu a nelinearitu ve VA charakteristikách, což potenciálně omezuje výhody další miniaturizace CMOS. Tato přednáška se bude těmito výzvami zabývat a prozkoumá potenciální řešení pro nanoCMOS technologie nové generace. Ve druhé části přednášky se pozornost přesune na nově vznikající oblast ohmických kontaktů v dvourozměrných (2D) materiálech. Budou analyzovány klíčové obtíže – včetně omezených úrovní dotování, omezeného výběru kovů pro zarovnání pásů, zvýšeného pinningu Fermiho hladin a dopadu van der Waalsových mezer. Budou zdůrazněny strategie pro zlepšení výkonu ohmických kontaktů, jako jsou 2D/kovové van der Waalsovy kontakty, hybridní kontaktní struktury, dopování spojů, fázové a pásmové inženýrství a vyrovnávací vrstvy. Nakonec bude kriticky zhodnocena platnost Schottkyho kontaktního modelu v 2D heterostrukturách materiál/high-k/křemík.

07.04.2026, 13.00 - 13.45, FEL ČVUT v Praze, kat. mikroelektroniky, T2:B2-s141k, online: https://ieee.cz/ieee-distinguished-lecture/