1. | | Rovnice kontinuity a Poissonova pro polovodiče. Měrný odpor, pohyblivost, doba života. |
2. | | PN přechod, heterogenní přechod. Difúzní napětí, kapacita, injekce, extrakce, V-A charakteristika. |
3. | | Průraz, průrazné napětí,vlastnosti (Ionizační integrál...). Přechod u povrchu. Vliv teploty. Dioda. Model SPICE. |
4. | | Ohmický a Schottkyho kontakt. Povrchové stavy, Schottkyho jev. Vliv teploty |
5. | | Další polovodičové diody. Modely |
6. | | Bipolární tranzistory. Konstrukce, funkce, parametry a charakteristiky. HBT |
7. | | BJT (malý a velký signál). Kmitočtové vlastnosti. Modely pro SPICE. Vliv teploty. Aplikační závěry. |
8. | | BJT v IO: konstrukce, parametry. Proudové zrcadlo, aktivní zátěž, koncový stupeň. TTL. |
9. | | Struktura MIS. Akumulace, inverze. Prahové napětí, potenciálová jáma, tunelování. |
10. | | MOSFET. Model pro malý a velký signál. FAMOS, FLOTOX. EEPROM, FLASH. CCD. |
11. | | Konstrukce, parametry a charakteristiky. Škálování. Modely pro SPICE. |
12. | | CMOS. Invertor, proudový zdroj, aktivní zátěž, diferenční stupeň. BiCMOS. |
13. | | Tranzistory JFET, MESFET, HEMT. Konstrukce, parametry a charakteristiky. SPICE. |
14. | | Šum. Typy, modely, šumové vlastnosti součástek. Metody potlačení šumu. |
1. | | Organizační záležitosti. Příklady vlastností polovodičového materiálu. |
2. | | Vlastnosti polovodiče, vodivost, generace, rekombinace. Měření. |
3. | | Vlastností jednoduchých polovodičových struktur |
4. | | Simulace charakteristik a vlastností diod programem "PSPICE". |
5. | | Dvojpólové součástky - výpočty s použitím jednoduchých modelů. Měření parametrů |
6. | | Bipolární tranzistory - pracovní body. Podmínky a pravidla pro návrh pracovního bodu. |
7. | | Bipolární tranzistory - modely ve SPICE, srovnání s měř. vlastnostmi |
8. | | Vliv teploty a napájecího napětí na klidový pracovní bod bipolární tranzistoru |
9. | | Unipolární tranzistory - pracovní body. Podmínky a pravidla pro návrh pracovního bodu |
10. | | Unipolární tranzistory - modely ve SPICE, proměření vlastností. |
11. | | Měření frekvenčních vlastností součástek. Konfrontace s modelem. |
12. | | Ověření vlastností základních zesilovacích stupňů s bipolární. |
13. | | Zápočtový test. Ověření vlastností základních zesilovacích stupňů s unipolární tranzistory. |
14. | | Doměřování laboratorních úloh. Zápočet. |
1. | | Vaníček, F.: Elektronické součástky. Principy, vlastnosti, modely. ČVUT, Praha 1999 |
2. | | Vaníček, F.: Elektronické součástky. Příklady. ČVUT, Praha 2001. |
3. | | Frank, H. - Šnejdar, V.: Principy a vlastnosti polovodičových součástek. SNTL, Praha 1976. |
4. | | Frank, H.:Fyzika a technika polovodičů. SNTL, Praha 1990. |
5. | | Horowitz, P. - Hill, W.: The Art of Electronics. Cambridge University Press, Cabridge 1980, 89, 90,91,93 |
6. | | Kubát, M.: Výkonová polovodičová technika. SNTL, Praha 1978. |
7. | | Sze, S. M.: Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, New York 1981. |
8. | | Floyd, T. L.:Electronic Devices. Macmillan Pub. Comp., New York 1992 |
9. | | Bogart, T. F.: Electronic Devices and Circuits. Macmillan Pub. Comp., New York 1993 |
1. | | Horowitz, P. - Hill, W.: The Art of Electronics. Cambridge University Press, Cabridge 1980, 89, 90,91,93 |
2. | | Sze, S. M.: Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, New York 1981. |
3. | | Floyd, T. L.:Electronic Devices. Macmillan Pub. Comp., New York 1992 |
4. | | Bogart, T. F.: Electronic Devices and Circuits. Macmillan Pub. Comp., New York 1993 |