13VZ2 | Výroba silnoproudých zařízení 2 | Rozsah výuky: | 3+2 | ||
---|---|---|---|---|---|
Přednášející (garant): | Benda V. | Typ předmětu: | Z | Zakončení: | Z,ZK |
Zodpovědná katedra: | 313 | Kreditů: | 6 | Semestr: | Z |
Anotace:
Předmět je zaměřen na problematiku montáže statických silnoproudých a polovodičových zařízení. Studenti se seznámí se strukturou, parametry a provozními podmínkami výkonových polovodičových součástek (diody, tyristory, GTO, IGBT, atd.). Setkají se zde také se způsoby odvodu ztrátového teplaa hlavními zásadami onstrukce výkonových polovodičových zařízení včetně problematiky EMC.
Osnovy přednášek:
1. | Výkonová polovodičová zařízení - charakter výroby | |
2. | Výkonové polovodičové součástky, konstrukce a technologie | |
3. | Proudem řízené součástky (BJT, tyristory) | |
4. | Moderní součástky tyristorového typu (GTO, LTT) | |
5. | Napěťově řízené součástky (MOSFET, SIT) | |
6. | Napěťově řízené bipolární součástky (IGBT, MCT) | |
7. | Pouzdra součástek a jejich elektrické a tepelné parametry | |
8. | Technologie výkonových polovodičových modulů | |
9. | Chlazení a proudová zatížitelnost součástek | |
10. | Technologie pasivních komponent výkonových zařízení | |
11. | Technologie řídicích a pomocných obvodů | |
12. | Technologie výkonových obvodů | |
13. | Technologické aspekty plynoucí z požadavků na EMC | |
14. | Provozní spolehlivost a diagnostika |
Osnovy cvičení:
1. | Organizační záležitosti, úvod do problematiky | |
2. | Výklad prvního bloku laboratorních úloh | |
3. | Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik | |
4. | Měření teplotní závislosti propustných parametrů | |
5. | Měření teplotní závislosti spínacích parametrů | |
6. | Měření teplotní závislosti charakteristik tranzistorů | |
7. | Měření parametrů napájecích usměrňovačů | |
8. | Výklad druhého bloku laboratorních úloh | |
9. | Měření přepětí při závěrném zotavení diod | |
10. | Měření vlivu zátěže na spínací parametry | |
11. | Měření parametrů napěťového řízení IGBT | |
12. | Měření frekvenční závislosti pasivních komponentů | |
13. | Měření transientní tepelné impedance chladičů | |
14. | Zápočet |
Literatura Č:
[1] | Benda, V.: Výkonové polovodičové součástky a integrované struktury. Monografie ČVUT, Praha 1994 | |
[2] | Benda, V.: Silnoproudá zařízení polovodičová - laboratorní měření. Skripta ČVUT, Praha 1991 | |
[3] | Ramshaw, R.S.: Power Electronics Semicond. Switches. Chapman & Hall, 1993 |
Literatura A:
[1] | Benda, V. : Power electronic components and systems. Willey and Sons, London 1998 | |
[2] | Ramshaw, R.S.: Power Electronics Semicond. Switches. Chapman & Hall, 1993 |
Požadavky:
|
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
|
Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |