Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
37NRO Návrh radioelektronických obvodů počítačem Rozsah výuky:2+2
Přednášející (garant):Dobeš J. Typ předmětu:S Zakončení:KZ
Zodpovědná katedra:337 Kreditů:4 Semestr:Z

Anotace:
Student se seznámí se slučitelnými modely polovod. prvků implementovanými v programech PSpice a C.I.A. s důrazem na jejich praktickou aplikaci v radioelek. obvodech. Rovněž se seznámí s modely specif. lineárních prvků systematicky používaných v radioelektronice (přenosová vedení, vf operační zesilovače). Dále se encyklopedicky seznámí s algoritmy používanými k analýze a optimalizaci obvodů.

Osnovy přednášek:
1. Porovnání dostupných programů pro návrh radioelektronických obvodů
2. Model diody PN se zahrnutím Zenerova jevu, teplot. a šumové modely
3. Modifikovaný Gummel-Poonův model bipolárního tranzistoru
4. Shichman-Hodgesův model a pokročilejší model tranzistoru JFE
5. Sussman-Fort-Huang-Hantganův a Statzův model tranzistoru GaAsFE
6. Dangův model a model BSI tranzistoru MOSFE, další modely ve SPICE3
7. Modely přenos. vedení, oper. zesil., mikrovln. prvků (s - param.)
8. Řešení soustav algebro-diferenciálních rovnic v implicitním tvaru
9. Řešení řídkých soustav lineárních rovnic, určení pólů a nul deflací
10. Citlivostní analýza, optimalizace Marquardt-Levenbergovou metodou
11. FFT, určování ustálených stavů, intermodulací, nejhorších případů
12. Praktické pokyny k řešení radioel. obvodů: určení pracovních bodů,
13. nízko a vysokofrekv. zesilovače, oscilátory, relaxační generátory,
14. analýza směšovačů, modulátorů a demodulátorů, mikrovlnných obvodů

Osnovy cvičení:
1. Uživatelské prostředí programu C.I.A.: nadstavbová procedura SHELL
2. Zesilovač s bipolárním tranzistorem, schéma zadáno editorem EEDraw
3. Zesilovač s kmitočt. závislou zpětnou vazbou: analýza dle předlohy
4. Colpittsův oscilátor: vyhledání ustáleného stavu a harmon. analýza
5. Identifikace modelu z charakteristik bipolár. i GaAsFE tranzistoru
6. Analýza rychlých logických obvodů s bipolár. i GaAsFE tranzistory
7. Analýza astab. multivibrátoru a rázuj. generátoru, schéma v OrCAD
8. Analýza šumového čísla mikrovlnného zesilovače, schéma v EEDraw
9. Teplotní závislosti, říz. zdroje napětí a proudu v PSPICE a SPICE3
10. Přehled a úlohy stejnosměrných analýz v programech PSPICE a SPICE3
11. Přehled a úlohy kmitočtových analýz v programech PSPICE a SPICE3
12. Přehled a úlohy časových analýz v programech PSPICE a SPICE3
13. Zlepšení přesnosti a spolehlivosti statických a dynamických analýz
14. Zadávání schéma a parametrů analýz PSPICE v grafic. editoru PSCHED

Literatura Č:
[1] Dobeš, J.: Návrh radioelektronických obvodů počítačem. Skripta ČVUT, Praha 1997
[2] Massobrio, G., Antognetti, P.: Semiconductor Device Modeling With SPICE. McGraw-Hill, 1993
[3] Vladimirescu, A.: The SPICE Book. John Wiley & Sons, Inc., 1994

Literatura A:
[1] Massobrio, G., Antognetti, P.: Semiconductor Device Modeling With SPICE. McGraw-Hill, 1993
[2] Vladimirescu, A.: The SPICE Book. John Wiley & Sons, Inc., 1994

Požadavky:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14+4
Charakter cvičení: c

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
*DBEB Elektronika a sdělovací technika S 5
*DBE Elektronika a sdělovací technika S 5


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)