Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
X34SIO Struktury integrovaných obvodů Rozsah výuky:2+2
Přednášející (garant):Jakovenko J. Typ předmětu:Z Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:334 Kreditů:5 Semestr:Z

Anotace:
Hlavní smery vyvoje polovodicovych integrovanych struktur. Základní vlastnosti bipolárních a unipolárních struktur - pásové diagramy, C-U charakteristiky. Seznámení se základními funkcními strukturami a technologiemi integrovanych obvodu. Technologie NMOS a CMOS, topologie logickych hradel, návrhová pravidla. Parazitní struktury v IO, Latch-up. Problematika zmensování rozmeru integrovanych struktur. Základní stavební bloky analogovych CMOS integrovanych obvodu. Vlastnosti logickych hradel TTL, ECL, NMOS a CMOS. Pametové struktury. Struktury bipolárních IO, BiCMOS.

Osnovy přednášek:
1. Historický přehled vývoje IO, metody návrhu.
2. Struktura MOS - pásové diagramy, vlastnosti rozhraní Si -SiO2, náboje ve struktuře, C-U charakteristiky.
3. MOST - prahové napětí, lineární a saturační oblast, modely.
4. Technologický proces výroby IO.
5. Technologický proces CMOS (NMOS, PMOS) a jeho varianty.
6. Ovládání vlastností CMOST, zabudovaný kanál, LDD struktura. Parazitní struktury, Latch-up.
7. Pasivní struktury v IO a jejich modely. Testovací struktury.
8. Návrh topologie, návrhová pravidla.
9. Zmenšování rozměrů funkčních struktur CMOS - Scaling, budoucnost integrace, submikronový CMOST.
10. Základní bloky analogových CMOS IO (Proudové zdroje, proudové a napěťové reference).
11. Základní bloky analogových CMOS IO (dif stupeň, aktivní zátěž, invertor).
12. Parametry logických hradel NMOS a CMOS. Ztrátový výkon log. hradla.
13. Paměťové struktury.
14. Struktury bipolárních IO, BiCMOS.

Osnovy cvičení:
1. Úvod do práce v systému UNIX, operační systém SUN Solaris.
2. Návrhové prostředí CADENCE, knihovny technologií CMOS, SPICE modely.
3. Statické vlastnosti invertoru CMOS, obvodový simulátor, netlist.
4. Dynamické vlastnosti invertoru CMOS, transientní a AC analýza.
5. Návrhová pravidla, layout tranzistorů NMOS a PMOS.
6. Návrh topologie IO, hierarchie, zásady rozmisťování napájecích a datových cest.
7. Návrh proudového zdroje, proudové a napěťové reference.
8. Návrh diferenčního stupně.
9. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.
10. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.
11. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.
12. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.
13. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.
14. Předvedení semestrálního projektu, zápočet.

Literatura Č:
1. Adamčík, I.: Struktury a technologie mikroelektroniky. Skripta ČVUT, Praha 1992
2. Pucknell, D., Eshraghian, K.: Basic VLSI Design. Prentice Hall, 1988
3. Weste, N., Eshraghian, K.: Principles of CMOS VLSI Design. Add.-Wesley, 1992

Literatura A:
1. Pucknell, D., Eshraghian, K.: Basic VLSI Design. Prentice Hall, 1988
2. Weste, N., Eshraghian, K.: Principles of CMOS VLSI Design. Add.-Wesley, 1992

Požadavky:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14+4
Typ cvičení: c, p
Předmět je nabízen také v anglické verzi.

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
MEL01 Elektronika Z 1
MEL02 Elektronika Z 1
MEL03 Elektronika Z 1


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)