Při výrobě elektronických součástek a integrovaných obvodů se užívá řada technologických postupů, které umožňují lokálně měnit vlastnosti polovodičového materiálu (iontová implantace, difúze, apod.). V této oblasti se naše skupina se zaměřuje na studium a využití ozáření energetickými částicemi (protony, elektrony a částicemi alfa) s energiemi řádu jednotek až desítek MeV. Poruchy krystalové struktury, které vznikají v důsledku kolize částice (projektilu) s atomy polovodiče lze s výhodou použít k odstranění elektronů (děr) z těch míst struktury, kde je jejich přítomnost nevhodná, nebo k tvarování profilu příměsí (např. platiny či paladia), které by standardními technikami nebylo možné dosáhnout. Výsledkem je pak značné zlepšení parametrů součástek, které mohou pracovat na vyšších frekvencích a za podstatně vyššího výkonového zatížení. Ozáření struktur a součástek provádíme na urychlovačích v tuzemsku i zahraničí ve spolupráci s akademickými a průmyslovými partnery. Pro charakterizaci krystalových poruch a jejich vlastností používáme špičkových aparatur (DLTS spektrometr DLS-83E) a řadu unikátních metod vyvinutých na našem pracovišti.
