Možnosti současné techniky vytvářet a manipulovat s nanometrovými objekty vytváří prostor pro návrh a realizaci nových elektronických součástek. Nanostruktury je možné také zabudovat do stávajících struktur s cílem zlepšit jejich vlastnosti. Příkladem mohou být polovodičové kvantové tečky, nanostruktury o rozměru řádu jednotek až desítek nanometrů, které jsou zarostlé do polovodiče odlišného typu (např. InAs v GaAs). Pohyb elektronů v této nanostruktuře je lokalizován elektrostatickým potenciálem, a tečka má pak charakteru "umělého atomu". Elektronické vlastnosti lze ovládat volbou rozměru či složením tečky. Naše skupina se ve spolupráci s Fyzikálním ústavem AVČR zabývá studiem charakterizací InAs kvantových teček v GaAs vytvářených samoorganizačním epitaxním růstem. Jejich zabudování do struktury polovodičového laseru umožňuje zvýšit jeho účinnost a posunout vyzařovanou vlnovou délku do oblasti, která by nebyla pro daný polovodičový systém možná. Rozměry narostlých teček charakterizujeme mikroskopií atomárních sil AFM (obrázek vlevo a uprosřed), jejich optoelektronické vlastnosti fotoluminescencí a fotomodulovanou reflektancí a možné stavy elektronů v tečkách simulujeme nejmodernějšími programovými nástroji (obrázek vpravo).
