Lidé
prof. Ing. Pavel Hazdra, CSc.
Disertační témata
Návrh výkonových součástek na bázi karbidu křemíku (SiC)
- Program: Elektrotechnika a komunikace
- Katedra: Katedra mikroelektroniky
-
Popis:
Návrh, simulace a charakterizace výkonových polovodičových součástek na bázi SiC (Schottkyho diod, MPS diod, PiN diod, příp. MOSFETů) pro napěťové třídy od 3.3kV. http://www.micro.feld.cvut.cz/
Optické a elektrické vlastnosti nanometrických struktur
- Program: Elektrotechnika a komunikace
- Katedra: Katedra mikroelektroniky
-
Popis:
Charakterizace a simulace elektrických a optických vlastností nanometrických struktur. http://www.micro.feld.cvut.cz/
Radiační odolnost polovodičových součástek s širokým zakázaným pásem (SiC, GaN)
- Program: Elektrotechnika a komunikace
- Katedra: Katedra mikroelektroniky
-
Popis:
Studium radiační odolnosti polovodičových součástek s širokým zakázaným pásem (SiC, GaN) a z nich realizovaných systémů. http://www.micro.feld.cvut.cz/
Radiační poruchy a jejich aplikace v polovodičových strukturách
- Program: Elektrotechnika a komunikace
- Katedra: Katedra mikroelektroniky
-
Popis:
Využití radiačních poruch pro zlepšení parametrů polovodičových součástek (vývoj technologií, charakterizace a simulace). http://www.micro.feld.cvut.cz/
Širokopásové polovodičové materiály a struktury
- Program: Elektrotechnika a komunikace
- Katedra: Katedra mikroelektroniky
-
Popis:
Charakterizace polovodičových materiálů s širokým zakázaným pásem (SiC, GaN) a z nich vytvořených struktur (elektrické a optické vlastnosti, poruchy, apod.). http://www.micro.feld.cvut.cz/
